发明名称 |
一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置,所述的装置顺着气路通道依次安装有控制氮气流量的流量计、去除氮气中水分的液氮冷阱、将金属有机物气化的气化室、容纳金属有机物气体的喷嘴装置,以及位于喷嘴装置下方对基片加热的基片台,该装置制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列;该装置中的喷嘴可以同时进行三种不同金属有机物渗混沉积,用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。 |
申请公布号 |
CN2695450Y |
申请公布日期 |
2005.04.27 |
申请号 |
CN200320127643.X |
申请日期 |
2003.12.15 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
张跃;袁洪涛;谷景华 |
分类号 |
C23C16/40;C30B25/00;C30B29/16;C30B29/64;H01L21/365 |
主分类号 |
C23C16/40 |
代理机构 |
北京永创新实专利事务所 |
代理人 |
周长琪 |
主权项 |
1、一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置,包括氮气瓶、基片、基片台,其特征在于:还包括流量计、液氮冷阱(4)、气化室(5)、喷嘴装置(7);所述的装置顺着气路通道(2)依次安装有氮气瓶(1)、控制氮气流量的流量计(3)、去除氮气中水分的液氮冷阱(4)、将金属有机物气化的气化室(5)、容纳金属有机物气体的喷嘴装置(7),以及位于喷嘴装置(7)下方对基片(8)加热的基片台(9);所述的氮气瓶(1)至流量计(3)之间安装有对流量计进行保护的截止气阀;所述的液氮冷阱(4)至气化室(5)之间的气路通道(2)的外壁上缠绕有加热带,其加热带上连接有调压器,其在气路通道外壁间还设有热电偶,其热电偶的测温端紧贴气路通道外壁,其接线端接入温度显示仪表;所述的气化室(5)外壁缠绕有加热带,其加热带上连接有调压器,其在气化室(5)内设有热电偶,其接线端伸出气化室接入温度显示仪表;所述的气化室(5)至喷嘴装置(7)的气路通道(2)上设有封闭气路的截止气阀,所述此段气路通道(2)上缠绕有加热带,其加热带上连接有调压器,其在气路通道外壁间还设有热电偶,其热电偶的测温端紧贴气路通道外壁,其接线端接入温度显示仪表;所述的基片台(9)上与基片(8)相接触设有紧贴两者的热电偶,其接线端接入温度显示仪表,其基片(8)表面与喷嘴装置(7)中的喷口(11)底面的法向方向相垂直。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路37号 |