在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构

摘要

本发明提供一种在半导体制程中避免多晶硅纵梁形成的半导体结构，其将一半导体基底分为一记忆胞区域与一外围区域，并有多个平行的第一隔离组件位于记忆胞区域中的基底内；一第二隔离组件位于外围区域的基底中并与第一隔离组件平行；一文件片埋入掺杂区域位于基底中，并位于记忆胞区域与外围区域之间而与第二隔离组件平行，且在文件片埋入掺杂区域上形成一氧化区域，以利用文件片埋入掺杂区域与氧化区域，可避免后续制程中多晶硅纵梁的形成。

主权项

1、一种在半导体制程中避免多晶硅纵梁形成的半导体结构，其特征在于，该半导体结构分为一记忆胞区域与一外围区域，包括：一半导体基底；一文件片埋入掺杂区域，其位于该半导体基底中，且该文件片埋入掺杂区域位于该记忆胞区域与该外围区域之间，并紧临平行该外围区域中的一浅沟槽隔离组件；以及一氧化区域，其位于该文件片埋入掺杂区域上。