利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法

摘要

本发明提供一种利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法，其为一种制造混合模拟元件的电容器的制造方式，此电容器以多晶硅叠层方式形成于具有自行对准金属硅化物的制程结构中。在含有自行对准金属硅化物制程中，通常须有一道自行对准金属硅化物阻障制程用来避免在静电放电结构、电阻和电容的结构中形成金属硅化物。本发明利用此自行对准金属硅化物阻障的氧化层来作为形成电容器的介电层，使形成的多晶硅电容器可节省一些制程步骤。

主权项

1、一种利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有隔离结构与晶体管结构，且在形成该晶体管结构的多晶硅栅极时，还同时在该隔离结构上的该半导体基底表面形成作为电容器的下层电极的第一多晶硅层；在该半导体基底表面形成一作为自行对准金属硅化物阻障的氧化层；于该半导体基底上的该氧化层表面形成一图案化第二多晶硅层，使其位于该第一多晶硅层上方，以作为该电容器的上层电极；去除该晶体管结构上的部份该氧化层，使位于该隔离结构上且位于该第一与第二多晶硅层之间残留的该氧化层作为该电容器的介电层；及进行自行对准金属硅化物制程，使该自行对准金属硅化物形成于该半导体基底的该晶体管结构表面与该第二多晶硅层表面。