具有槽型结构的半导体器件及其制造方法

摘要

在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。

主权项

1.一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于：具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；遍及所述槽全周、且从所述槽的内表面以所要的长度延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜；和被填充到所述绝缘膜的沟槽、且从所述沟槽的内部以所要的长度延伸到所述半导体衬底的外表面的所述绝缘膜之上的导电部。