| 发明名称 | 用于相变存储器的含碳分界表面层 | ||
| 摘要 | 用一个含碳分界表面层(20)可形成一个相变存储器单元(10)，该含碳分界表面层(20)加热一种相变材料(24)，在一个实施例中，通过形成该相变材料(24)与该含碳分界表面层(20)相接触，在一个给定的电流和温度的条件下，可施加到该相变材料(24)的热量可以增加。在某些实施例中，在高温该分界表面(20)的性质可通过使用例如碳化硅这样的宽带间隙(wide band gap)半导体材料得到改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1610950A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN02820018.7 | 申请日期 | 2002.09.12 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·徐 |
| 分类号 | G11C11/34 | 主分类号 | G11C11/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种方法包括：在一个半导体上形成含碳分界表面层；以及在所说含碳分界表面层上形成相变材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||