| 发明名称 | 半导体装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体装置的方法，首先，提供一半导体基底，于半导体基底上形成一化学气相沉积的低介电常数介电层；然后，以氢气对化学气相沉积的低介电常数介电层表面进行处理以形成一改质表层。 | ||
| 申请公布号 | CN1610075A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410046205.X | 申请日期 | 2004.05.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 章勋明;柯忠祁;包天一;黎丽萍;刘埃森 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成有一低介电常数介电层；及以含氢元素气体对所述低介电常数介电层表面进行处理以形成一改质表层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||