发明名称 MOS transistor and fabrication method thereof
摘要
申请公布号 KR100485163(B1) 申请公布日期 2005.04.22
申请号 KR20030054651 申请日期 2003.08.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址