| 主权项 |
1.一种堆叠式晶片封装结构,至少包括:一承载器,具有复数个接点;一第一晶片,其系具有一第一背面以及包含复数个第一焊垫与复数个凸块垫之一第一主动表面,该第一晶片系以该第一主动表面接合于该承载器上;复数个凸块,其系配置于该承载器以及该第一晶片之间,其中每一该些凸块系电性以及结构性连接该些接点之一以及该些凸块垫之一;至少一第二晶片,其系具有一第二背面以及包含复数个第二焊垫之一第二主动表面,该第二晶片系以该第二主动表面配置于该第一晶片之该第一背面,并显露出该些第二焊垫于该第一背面之外;以及复数个导线,其对应连接该些第一焊垫以及该些第二焊垫。2.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一封胶,包覆该些导线。3.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一底胶,配置于该第一晶片以及该承载器之间和暴露之该第二晶片与该承载器之间,该底胶系将该些凸块以及该些导线加以包覆。4.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,其中该第一晶片之部分该第一背面系不被该第二晶片之该第二主动表面所覆盖。5.如申请专利范围第1或4项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一散热片,配置于该第二晶片之该第二背面上,且该散热片延伸覆盖于该第一晶片之该第一背面的上方。6.如申请专利范围第5项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一金属垫,配置于该散热片以及该第一晶片之间,而该散热片藉由该金属垫而接触该第一晶片之该第一背面。7.如申请专利范围第5项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一间隙垫,配置于该散热片以及该第一晶片之间,而该间隙垫之厚度与该第二晶片的厚度相当。8.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,其中该第一晶片之该第一背面系全部被该第二晶片之该第二主动表面所覆盖。9.如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构,更包括一散热片,配置于该第二晶片之该第二背面上。10.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,其中该第二晶片之部分该第二主动表面系暴露于该第一晶片之该第一背面的一侧边之外。11.如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构,其中该第二晶片之部分该第二主动表面系暴露于该第一晶片之该第一背面的一角落区域之外。12.一种晶片堆叠结构,至少包括:一第一晶片,具有一第一背面以及包含复数个第一焊垫之一第一主动表面;以及至少一第二晶片,具有一第二表面以及包含复数个第二焊垫之一第二主动表面,该第二晶片系以该第二主动表面配置于该第一晶片之该第一背面,并显露出该些第二焊垫于该第一背面之外。13.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,更包括复数个导线,其对应连接该些第一焊垫以及该些第二焊垫。14.如申请专利范围第13项所述之晶片堆叠结构,更包括一封胶,包覆该些导线。15.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,更包括复数个凸块,而该第一晶片之该第一主动表面还具有复数个凸块垫,该些凸块系配置于该第一主动表面之该些凸块垫上。16.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,其中该第一晶片之部分该第一背面系不被该第二晶片之该第二主动表面所覆盖。17.如申请专利范围第12或16项所述之晶片堆叠结构,更包括一散热片,配置于该第二晶片之该第二背面上,且该散热片延伸覆盖于该第一晶片之该第一背面的上方。18.如申请专利范围第17项所述之晶片堆叠结构,更包括一金属垫,配置于该散热片以及该第一晶片之间,而该散热片藉由该金属垫而接触该第一晶片之该第一背面。19.如申请专利范围第17项所述之晶片堆叠结构,更包括一间隙垫,配置于该散热片以及该第一晶片之间,而该间隙垫之厚度与该第二晶片的厚度相当。20.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,其中该第一晶片之该第一背面系全部被该第二晶片之该第二主动表面所覆盖。21.如申请专利范围第20项所述之晶片堆叠结构,更包括一散热片,配置于该第二晶片之该第二背面上。22.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,其中该第二晶片之部分该第二主动表面系暴露于该第一晶片之该第一背面的一侧边之外。23.如申请专利范围第12项所述之晶片堆叠结构,其中该第二晶片之部分该第二主动表面系暴露于该第一晶片之该第一背面的一角落区域之外。图式简单说明:第1图绘示习知一种堆叠式晶片封装结构的示意图。第2图绘示本发明一较佳实施例之一种堆叠式晶片封装结构的剖面示意图。第3图绘示本发明一较佳实施例之一种晶片堆叠结构的剖面示意图。第4、5及6图分别绘示三种不同实施例之堆叠式晶片封装结构的俯视示意图。 |
