| 主权项 |
1.一种覆晶封装构造,其系包含:一基板具有上表面以及一下表面,该基板包含:一凹部界定于该基板之上表面;一含有强化材料之绝缘层;复数个晶片接垫设于该含有强化材料之绝缘层表面且裸露于该凹部;以及复数个锡球焊垫位于该基板上表面凹部之周边,用以与外界形成电性连接,其中该复数个晶片焊垫系电性连接至该复数个锡球焊垫;以及一半导体晶片以覆晶接合的方式设于该基板之凹部并且电性连接至该晶片接垫。2.依申请专利范围第1项之覆晶封装构造,其中该半导体晶片系利用锡铅连接(solder joint)固定并且电性连接至该基板之晶片接垫。3.依申请专利范围第2项之覆晶封装构造,其另包含一填胶(underfill)设于该半导体晶片与基板之间。4.依申请专利范围第1项之覆晶封装构造,其另包含一金属镀层形成在该基板下表面,以及复数个导电通孔(via)贯穿该含有强化材料之绝缘层。5.依申请专利范围第1项之覆晶封装构造,其另包含一散热器(heat sink)设于该半导体晶片之背面。6.依申请专利范围第1项之覆晶封装构造,其中该含有强化材料之绝缘层系由玻璃纤维强化BT(bismaleimide-triazine)树脂形成。7.依申请专利范围第1项之覆晶封装构造,其中该含有强化材料之绝缘层系由FR-4玻璃纤维强化环氧树脂(fiberglass reinforced epoxy resin)形成。图式简单说明:第1图:习用覆晶封装构造之剖面图;第2图:根据本发明一实施例之覆晶封装构造之剖面图;及第3图:根据本发明另一实施例之覆晶封装构造之剖面图。 |
