发明名称 资料储存装置及读取于资料储存装置中之资料的方法
摘要 本发明包含一资料储存装置及读取在一资料储存装置中之资料的方法。因此,本发明的第一态样系为一种资料储存装置。该资料储存装置包含一探针尖梢设在一悬撑机构上,一资料储存层,至少一导电层其中有一电容会生成于该悬撑机构与该至少一导电层之间,及一感测器可感测出该探针尖梢由于一位元的存在而位移所造成的电容变化。
申请公布号 TWI231505 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW093108893 申请日期 2004.03.31
申请人 惠普研发公司 发明人 吉伯森;瓦姆斯利;派森
分类号 G11C11/24 主分类号 G11C11/24
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种资料储存装置,包含:一探针尖梢设在一悬撑机构上;一资料储存层;至少一导电层其中有一电容会生成于该悬撑机构与该至少一导电层之间;及一感测器可感测出该电容依据该探针尖梢由于一位元的存在而位移所造成的变化。2.如申请专利范围第1项之资料储存装置,其中该资料储存层会接触该探针尖梢。3.如申请专利范围第2项之资料储存装置,其中该资料储存层包含该位元,而该位元包含一凹坑或凸体之至少一者。4.如申请专利范围第1项之资料储存装置,其中该资料储存层包含一聚合物材料。5.如申请专利范围第1项之资料储存装置,其中该导电层包含一导电薄膜。6.如申请专利范围第5项之资料储存装置,其中该导电薄膜包含Mo、Cu、TA的沈积金属膜之至少一者。7.如申请专利范围第1项之资料储存装置,其中该导电层包含一导电基材。8.一种由一资料储存装置读取资料的方法,包含:以一悬撑机构将一探针尖梢悬撑在一资料储存层上;提供至少一导电层,其中有一电容会生成于该悬撑机构与该至少一导电层之间;及感测出该电容依据该探针尖梢由于一位元的存在而位移所造成的变化。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该资料储存层包含一聚合物材料。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该至少一导电层包含一导电薄膜。图式简单说明:第1图系为本发明一实施例之方法的流程图。第2图系示出本发明之一实施例的资料储存装置。第3图示出本发明一变化实施例的资料储存装置。第4图示出本发明之另一实施例的资料储存装置。第5图示出本发明又另一实施例的资料储存装置。
地址 美国