| 主权项 |
1.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;以及复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通。2.如申请专利范围第1项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。3.如申请专利范围第1或2项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。4.如申请专利范围第1或2项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。5.如申请专利范围第4项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。6.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一散热片,系接置于该支承板上。7.如申请专利范围第6项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。8.如申请专利范围第6或7项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。9.如申请专利范围第6或7项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。10.如申请专利范围第9项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。11.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板,且该金属支承板具有至少一开口;以及复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通。12.如申请专利范围第11项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。13.如申请专利范围第11或12项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。14.如申请专利范围第11或12项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。15.如申请专利范围第14项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。16.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板,且该金属支承板具有至少一开口;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一散热片,系接置于该支承板上,以使该散热片封闭住该支承板开口之一侧。17.如申请专利范围第16项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。18.如申请专利范围第16或17项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。19.如申请专利范围第16或17项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。20.如申请专利范围第19项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。21.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,且该绝缘层中形成有图案化线路结构以供电性导通至该被动元件之电极。22.如申请专利范围第21项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。23.如申请专利范围第21或22项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。24.如申请专利范围第21或22项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。25.如申请专利范围第24项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。26.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;一绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,且该绝缘层中形成有图案化线路结构以供电性导通至该被动元件之电极;以及一散热片,系接置于该支承板上未形成有绝缘层之一侧。27.如申请专利范围第26项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。28.如申请专利范围第26或27项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。29.如申请专利范围第26或27项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。30.如申请专利范围第29项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。31.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一具有图案化线路结构之绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,该图案化线路结构可选择性电性导通至该被动元件之电极,且该绝缘层具有至少一贯穿开口,并使该支承板封闭住该绝缘层开口之一侧。32.如申请专利范围第31项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。33.如申请专利范围第31或32项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。34.如申请专利范围第31或32项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。35.如申请专利范围第34项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。36.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一金属支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;一具有图案化线路结构之绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,该图案化线路结构可选择性电性导通至该被动元件之电极,且该绝缘层具有至少一贯穿开口,以使该支承板封闭住该绝缘层开口之一侧;以及一散热片,系接置于该支承板上未形成有绝缘层之一侧。37.如申请专利范围第36项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。38.如申请专利范围第36或37项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极可形成于该被动元件之同一侧表面及不同侧表面上之其中一者。39.如申请专利范围第36或37项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。40.如申请专利范围第39项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。41.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;以及复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通。42.如申请专利范围第41项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。43.如申请专利范围第41或42项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。44.如申请专利范围第41或42项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。45.如申请专利范围第44项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。46.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一散热片,系接置于该支承板上。47.如申请专利范围第46项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。48.如申请专利范围第46或47项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。49.如申请专利范围第46或47项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。50.如申请专利范围第49项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。51.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板,且该陶瓷支承板具有至少一开口;以及复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通。52.如申请专利范围第51项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。53.如申请专利范围第51或52项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。54.如申请专利范围第51或52项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。55.如申请专利范围第54项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。56.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板,且该陶瓷支承板具有至少一开口;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一散热片,系接置于该支承板上,以使该散热片封闭住该支承板开口之一侧。57.如申请专利范围第56项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。58.如申请专利范围第56或57项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。59.如申请专利范围第56或57项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。60.如申请专利范围第59项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。61.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,且该绝缘层中形成有图案化线路结构以供电性导通至该被动元件之电极。62.如申请专利范围第61项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。63.如申请专利范围第61或62项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。64.如申请专利范围第61或62项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。65.如申请专利范围第64项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。66.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;一绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,且该绝缘层中形成有图案化线路结构以供电性导通至该被动元件之电极;以及一散热片,系接置于该支承板上未形成有绝缘层之一侧。67.如申请专利范围第66项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。68.如申请专利范围第66或67项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。69.如申请专利范围第66或67项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。70.如申请专利范围第69项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。71.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;以及一具有图案化线路结构之绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,该图案化线路结构可选择性电性导通至该被动元件之电极,且该绝缘层具有至少一贯穿开口,并使该支承板封闭住该绝缘层开口之一侧。72.如申请专利范围第71项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。73.如申请专利范围第71或72项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。74.如申请专利范围第71或72项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。75.如申请专利范围第74项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。76.一种可承置被动元件之半导体承载板结构,系包括:一陶瓷支承板;复数个被动元件,系设置于该支承板上,并且形成有电极以供导通;一具有图案化线路结构之绝缘层,系形成于该承置有被动元件之支承板表面上,该图案化线路结构可选择性电性导通至该被动元件之电极,且该绝缘层具有至少一贯穿开口,以使该支承板封闭住该绝缘层开口之一侧;以及一散热片,系接置于该支承板上未形成有绝缘层之一侧。77.如申请专利范围第76项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该支承板表面可形成有至少一凹部以供容置被动元件。78.如申请专利范围第76或77项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件之电极形成于该被动元件之同一侧表面。79.如申请专利范围第76或77项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件系可选用表面黏着、烧结、及直接形成被动元件材料方式设置于该支承板上。80.如申请专利范围第79项之可承置被动元件之半导体承载板结构,其中,该被动元件材料系可藉由沈积及涂布之任一方式并经图案化制程以形成于该支承板上。图式简单说明:第1A至1G图为根据本发明第一实施例之可承置被动元件之半导体承载板结构之示意图;第2A至2F及第2A'至2F'图为根据本发明第二实施例之可承置被动元件之半导体承载板结构之示意图;第3A至3F图为根据本发明第三实施例之可承置被动元件之半导体承载板结构之示意图;以及第4A至4F图为根据本发明第四实施例之可承置被动元件之半导体承载板结构之示意图。 |
