发明名称 脉宽调变(PWM)叠频方法
摘要 本发明系一种脉宽调变(PWM)叠频方法,其系以2× M脉宽调变信号G1-G2M分别送至直流昇压电路之金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)之闸极,M为不含1之质数,其中脉宽调变信号G1、G3、G5....G2M-1同步,且相位角差180°/M;脉宽调变信号G2、G4、G6...G2M同步,且相位角亦差180°/M,如此,即可减少因脉宽调变信号切换时,致电池受电流之涟波影响与EMI干扰等诸多特点。
申请公布号 TWI231642 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW090103296 申请日期 2001.02.14
申请人 亚力电机股份有限公司 发明人 陈文祺
分类号 H02M3/00 主分类号 H02M3/00
代理机构 代理人 谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种脉宽调变(PWM)叠频方法,系一可减少电流的涟波成分于电池之方法,其以2M脉宽调变信号分别送至直流昇压电路之开关元件之控制端,M为不含1之质数,其中奇数脉宽调变信号同步,且相位角差180/M;偶数脉宽调变信号同步,相位角亦差180/M;其特征在于:送至直流昇压电路之开关元件之脉宽调变信号系由脉宽调变控制器搭配相移电路达成。2.如申请专利范围第1项所述之脉宽调变(PWM)叠频方法,其中送至直流昇压电路之开关元件之脉宽调变信号可由软件规画达成。图式简单说明:第一图系传统直流昇压电路相关组成之示意图。第二图系第一图之工作电流的波形图。第三图系本发明之脉宽调变信号送至金氧半导体场效应电晶体之示意图。第四图系本发明直流昇压电路相关组成之示意图。第五图系第四图工作电流之波形图。第六图系本发明直流昇压电路相关组成与相移电路连接之方块图。第七图系本发明相移电路与脉宽调变控制器相连接之电路图。
地址 台北市南港区三重路19之11号12楼
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