| 主权项 |
1.一种供辐射系统用之反射器,其包含一漫射反射表面,其中该反射器包含一或多个选自由氧化钙、氧化铪、氧化镧、氧化铽、钛酸钡、氟化镁、氧化镁、氧化铝、氧化钡、氧化钬、氧化锗、氧化碲、氧化铕、氧化铒、氧化钕、氧化钐、氧化镱、氧化钇、硫酸钡及氧化镝组成之群组的反射材料,该反射器反射大于50%之240至280nm的辐射。2.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器反射大于75%之240至280nm的辐射。3.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器反射大于90%之240至280nm的辐射。4.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器反射大于90%之250至270nm的辐射。5.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器为椭圆形。6.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器对目标区提供辐射能,其中该能量之变异小于8毫焦耳/平方公分。7.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器对目标区提供辐射能,其中该能量之变异小于15%。8.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器对目标区提供辐射能,其中该能量之变异小于10%。9.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器对目标区提供辐射能,其中辐射包含40至180度之入射角。10.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器提供小于1.5之对比度。11.如申请专利范围第1项之反射器,其包含一或多个纯度大于99.9%之反射材料。12.如申请专利范围第1项之反射器,其包含一或多个选自由稀土族、稀土族卤化物及金属混合氧化物组成之群组的反射材料。13.如申请专利范围第1项之反射器,其包含一或多个选自由氧化镁、氟化镁、氧化铝、硫酸钡、氧化镧、氧化镱及氧化钇组成之群组的反射材料。14.如申请专利范围第1项之反射器,其包含一或多个选自由氧化镁、氟化镁、氧化铝及硫酸钡组成之群组的反射材料。15.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含一反射涂层或附于支撑件之膜。16.如申请专利范围第15项之反射器,其中该反射器包含一反射涂层,其藉由选自包含涂刷、喷射、浸渍、浇铸、转化涂刷、凝胶涂刷、蚀刻、化学蒸汽沉积、溅射、电浆喷射及雷射沉积之方法施予。17.如申请专利范围第15项之反射器,其中该反射涂层或膜为0.1至2500微米。18.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含包装的粉末或团块之反射材料。19.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含选自由聚乙烯醇、氰基丙烯酸酯、丙烯酸类及矽酮组成之群组的材料。20.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含选自由矽酸钠、低温烧结玻璃、硷金属氧化物矽酸盐组成之群组的材料。21.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含选自由第三丁氧化铝、矽酸钠、四乙基原矽酸酯(TEOS)、金属异丙氧化物、异丙氧化镝、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化镝、己烷中之2-乙基己酸镝、甲苯-异丙醇中之异丙氧化镝、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镝、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化铒、己烷中之2-乙基己酸铒、甲苯-异丙醇中之异丙氧化铒、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化铒、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化钬、甲苯-异丙醇中之异丙氧化钬、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钬、乙酸镧、己烷中之2-乙基己酸镧、异丙氧化镧、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镧、乙醇中之乙氧化镁、甲醇中之甲氧化镁、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镁、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化钕、己烷中之2-乙基己酸钕、甲苯-异丙醇中之异丙氧化钕、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钕、甲苯异丙醇中之乙基己醯单异丙氧化钐、己烷中之2-乙基己酸钐、甲苯-异丙醇中之异丙氧化钐、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钐、甲苯-异丙醇中之异丙氧化钐、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钐、甲苯-异丙醇中之异丙氧化镱、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镱、甲苯-异丙醇中之异丙氧化钇、甲苯-异丙醇中之乙基己醯单异丙氧化钇组成之群组的材料。22.如申请专利范围第1项之反射器,其中该反射器包含选自由硫酸钡、氧化铝、氟化镁及氧化镁组成之群组的反射材料。23.一种辐射系统,包括至少一辐射源,及至少部份地围绕该至少一辐射源之至少一反射器,其中,该至少一反射器系为漫射的。24.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一辐射源系一闪光灯。25.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,进一步包括多数辐射源,每一该辐射源均至少部份地由多数反射器所围绕,且其中,该多数反射器为漫射的。26.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一反射器有一漫射反射表面,反射大于50%之自240至280nm之辐射。27.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一反射器完全地围绕该至少一辐射源以形成一密闭空穴。28.如申请专利范围第27项之辐射系统,其中,该空穴之所有内侧表面系可漫射地反射,且其反射大于50%之自240至280nm之辐射。29.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,进一步包括多数辐射源,每一辐射源至少部份地被多数之该反射器所围绕,且该反射器形成一空穴,于其中,目标区系置于反射器之焦距或焦面。30.如申请专利范围第29项之辐射系统,其中,该些反射器为椭圆形状,且该些辐射源置于椭圆形状反射器之相对焦距处。31.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一反射器系椭圆形状。32.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,进一步包括一目标容积,其中,该目标容积包括在一隐形眼镜包装内之一隐形眼镜。33.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该辐射系统系用以消毒。34.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,每一灯具有至少一反射器,且该至少一反射器提供大于1.7之品质因数。35.如申请专利范围第34项之辐射系统,其中,该至少一反射器提供大于2之品质因数。36.如申请专利范围第34项之辐射系统,其中,该至少一反射器提供大于3之品质因数。37.如申请专利范围第29项之辐射系统,其中,可自一反射器通过至另一反射器而无经过该目标之辐射的数量,系小于50%。38.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,进一步包括一反射阻挡元件。39.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,进一步包括衰减材料。40.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一反射器包括大于99.9%纯度之反射材料。41.如申请专利范围第23项之辐射系统,其中,该至少一反射器包括选自由硫酸钡、氧化铝、氟化镁及氧化镁组成之群组中之反射材料。图式简单说明:图1示出一具有本发明之两反射器之辐射系统之横剖面;图2示出具有本发明之一反射器之辐射系统之横剖面;图3示出使用习用反射器而于目标区内之辐射能量之轮廓图;图4示出使用相同之用以产生图3轮廓之反射器但除了该反射器表面有一漫射涂层之外,而于目标区内之辐射能量之轮廓图;图5示出使用具有图1所示形状之反射器及漫射涂层而于目标区内之辐射能量之轮廓图;图6示出具有一使用两个产生图3轮廓之反射器而形成之空穴之辐射系统之Q因数(Q Factor)之图表:图7示出具有一使用两个产生图4轮廓之反射器而形成之空穴之辐射系统之Q因数之图表;和图8示出具有一使用两个产生图5轮廓之反射器而形成之空穴之辐射系统之Q因数之图表。 |
