| 主权项 |
1.一种半导体之基材构造,其包含:导热底部片,具有半导体晶片接触面;及高分子材料与金属叠层片,与该导热底部片相贴合,具有切削镂空区与接合垫区;其中该切削镂空区具有半导体晶片包含区,且该半导体晶片包含区与该半导体晶片接触面相关连地接合以包含该半导体晶片。2.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中该高分子材料与金属叠层片具有印刷电路与该接合垫区相连接。3.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中该高分子材料与金属叠层片埋藏电阻或电感。4.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中该导热底部片之材料为金属或导热高分子材料。5.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中该导热底部片与该高分子材料与金属叠层片具有对位孔、对位边或对位记号以使彼此贴合时准确。6.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中该高分子材料与金属叠层片为双层或多层构造。7.如申请专利范围第1项所示之半导体之基材构造,其中高分子材料与金属叠层片为高分子材料与铜金属片叠合而成。8.如申请专利范围第4项所示之半导体之基材构造,其中该导热底部片之材料为铝。9.如申请专利范围第7项所示之半导体之基材构造,其中该高分子材料为酚醛纸基或环氧玻璃布基型材料;其中纸基板可为酚醛型、环氧型、聚酯型;其中玻璃布基可为环氧树脂(FR-4、FR-5)、聚醯亚胺树脂(PI)、聚苯醚树脂(PPO)、聚四氟树脂、聚四氟乙烯树酯(PTFE)、聚氰酸酯树脂、聚烯烃树脂。图式简单说明:第一A图:为习知实施例一前视剖面构造之示意图;第一B图:为习知实施例一上视构造之示意图;第一C图:为习知实施例一立体构造之示意图;第二A图:为本创作实施例二前视剖面构造之示意图;第二B图:为本创作实施例二上视构造之示意图;及第二C图:为本创作实施例二立体构造之示意图。 |
