| 主权项 |
1.一种在金属表面产生微蚀的水溶液,该溶液包含:一质子源,其含量为0.5至7.5莫耳/公升;一氧化剂,其含量为0.2至5.0重量%;一钼离子源,其可提供2至20,000百万分之一之钼离子;及一唑系化合物,其含量为0.2至2.0重量%。2.根据申请专利范围第1项之水溶液,更进一步包含一种金属-螯合剂。3.根据申请专利范围第2项之水溶液,其中该螯合剂含量为0.2至10.0重量%。4.根据申请专利范围第1项之水溶液,其pH値不大于4。5.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该氧化剂选自由过氧化物、过硫酸盐化合物、三价铁化合物、铜化合物及硝酸、及其混合物所组成的族群。6.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该氧化剂为过氧化氢。7.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该质子源为有机及无机酸。8.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该质子源选自由硫酸、硝酸、磷酸、氢氟酸、甲酸、苯磺酸、及其混合物所组成的族群。9.根据申请专利范围第1项之水溶液,更进一步包含一化合物选自由唑、硫、及其混合物所组成的族群,且其量可提供微蚀电路的抗酸性。10.根据申请专利范围第9项之水溶液,其中该唑化合物选自由2-氨基唑、2-巯基苯并唑、及其混合物所组成的族群。11.根据申请专利范围第9项之水溶液,其中该硫化合物为硫。12.根据申请专利范围第9项之水溶液,其中该唑化合物及/或该硫化合物于该水溶液中含量为至少0.2重量%至饱和量。13.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该钼离子源提供钼离子浓度介于20及1000百万分之一。14.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该钼离子源提供钼离子浓度介于60及200百万分之一。15.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该钼离子源选自由钼酸、钼酸的盐或酐、磷钼酸及其盐类、及其混合物所组成的族群。16.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该唑系化合物选自由三唑、四唑、咪唑、及其混合物所组成的族群。17.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中该唑系化合物为苯并三唑。18.根据申请专利范围第1项之水溶液,更进一步包含表面活化剂。19.根据申请专利范围第18项之水溶液,其中该表面活化剂含量为0.05及1.0重量%间。20.根据申请专利范围第1项之水溶液,更进一步包含0.1及10重量%间之与水互溶有机溶剂。21.根据申请专利范围第1项之水溶液,其中包含水溶性聚合物。22.根据申请专利范围第21项之水溶液,其中该水溶性聚合物选自由环氧乙烷、环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、聚乙二醇、聚氧化丙烯共聚物、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、及其混合物所组成的族群。23.根据申请专利范围第1项之水溶液,更进一步包含2及50百万分之一间的卤离子。24.根据申请专利范围第23项之水溶液,其中该卤离子为氯。25.一种在金属表面产生微蚀的方法,该方法包含曝露水溶液至金属表面足够时间以增加该金属表面的表面积,该水溶液包含:一质子源,其含量为0.5至7.5莫耳/公升;一氧化剂,其含量为0.2至5.0重量%;一钼离子源,其可提供2至20,000百万分之一之钼离子;及一唑系化合物,其含量为0.2至20重量%。图式简单说明:第一图为以不含钼离子之比较实例溶液微蚀的铜表面之5000倍相片。第二图为以根据本发明含钼离子之溶液微蚀的铜表面之5000倍相片。 |
