焊接填料金属、使用该焊接填料金属之半导体装置之组装方法以及半导体装置

摘要

知Sn/Sb型焊接填料金属中，存在许多缺点：β’相之大颗粒可能沉积、元件与黏合部分可能发生裂缝、于半导体元件之晶粒黏合平面提供上述特殊涂层时会形成空隙。因此，Sn/Sb型焊接填料金属称不上适当。本发明之目的在提供可解决该等问题之新颖焊接填料金属。本发明之焊接填料金属包含5至20重量％Sb及0.01至5重量％Te，剩余部分为Sn及附带之杂质；或包含5至20重量％Sb、0.01至5重量％Te、0.001至0.5重量％P，剩余部分为Sn及附带之杂质。为了增进焊接填料金属之热循环性，可于焊接填料金属中添加总量为0.01至5重量％之Ag、Cu、Fe与Ni之至少一员。

主权项

1.一种焊接填料金属,其包含5至20重量%Sb及0.01至5重量%Te,剩余部分为Sn及附带之杂质。2.一种焊接填料金属,其系于如申请专利范围第1项之焊接填料金属中添加总量为0.01至5重量%之Ag、Cu、Fe与Ni之至少一员。3.一种焊接填料金属,其包含5至20重量%Sb、0.01至5重量%Te、0.001至0.5重量%P,剩余部分为Sn及附带之杂质。4.一种焊接填料金属,其系于如申请专利范围第3项之焊接填料金属中添加总量为0.01至5重量%之Ag、Cu、Fe与Ni之至少一员。5.一种半导体装置之组装方法,系藉使用焊接填料金属对半导体元件进行晶粒黏合以组装半导体装置,其中系使用如申请专利范围第1至4项中任一项之焊接填料金属作为焊接填料金属。6.一种半导体装置,其系藉使用如申请专利范围第1至4项中任一项之焊接填料金属组装而成。