| 主权项 |
1.一种电荷耦合元件(CCD),包括:一半导体基板,其中在此上述半导体基板的表面区域具有一转移通道;复数第一转移电极和复数第二转移电极,位于上述半导体基板上,半沿着上述转移通道交互排列;以及第一和第二相互连接线,以提供二相驱动讯号至上述第一和第二转移电极,以沿着上述转移通道转移电性电荷;上述转移通道,包括:复数第一扩散区域,皆位于一对应的上述第一转移电极之下层;复数第二扩散区域,皆位于一对应的上述第二转移电极之下层;在转移上述电性电荷时,上述第一扩散区域包括电荷储存区域,而上述第二扩散区域包括屏障区域;以及每个上述电荷储存区域皆具有较每个上述屏障区域大的宽度。2.如申请专利范围第1项所述之CCD,其中上述第一转移电极具有和上述电荷储存区域一样的宽度,而上述第二转移电极具有和上述屏障区域一样的宽度。3.如申请专利范围第1项所述之CCD,其中第一接触栓连接上述第一相互连接线至上述第一和第二转移电极,而位于对面的第二接触栓连接上述第二相互连接线至上述第一和第二转移电极,如沿着上述转移通道的中央线,自上述转移通道之横轴方向所视。4.如申请专利范围第3项所述之CCD,其中上述屏障区域皆具有自上述转移通道中央线偏离的中间线,而两个相邻的屏障区域的中间线位于相对侧,如沿着上述转移通道的中央线,自上述转移通道之横轴方向所视。5.如申请专利范围第1项所述之CCD,其中上述电荷储存区域和上述屏障区域具有第一传导型,且由具有和第一传导型相反的第二传导型之第三扩散区域环绕。6.一种CCD的制造方法,制造申请专利范围第1项所述之CCD,上述方法包括下列步骤:藉着以上述第一转移电极为光罩,以植入掺杂物至上述半导体基板,来形成上述屏障区域。7.一种CCD的制造方法,制造申请专利范围第1项所述之CCD,上述方法包括下列步骤:藉着以上述第一和第二转移电极为光罩,以植入掺杂物至上述半导体基板,来形成上述第三扩散区域。图式简单说明:第1图系一上视平面图,显示根据本发明第一实施例之CCD。第2图系一剖面图,显示第一图中沿II-II线之切面。第3图系一剖面图,显示第一图中沿III-III线之切面。第4图系一剖面图,显示第一图中沿IV-IV线之切面。第5图系一剖面图,显示第一图中沿V-V线之切面。第6图系一上视平面图,显示第1图所示结构下层之上述转移通道。第7图系一剖面图,显示第一图中沿VII-VII线之切面,连同在T1和T2瞬间上述转移通道的电位分布。第8图系一剖面图,显示第一图中沿VIII-VIII线之切面。第9图系一上视平面图,显示第一图所示之CCD包含上述CCD零件之尺寸。第10图系一流程图,显示制造上述第1图所示之CCD制程。第11图系一上视平面图,显示根据本发明第二实施例之CCD。第12图系一上视平面图,显示第11图所示结构下层之上述转移通道。第13图系一上视平面图,显示根据本发明第三实施例之CCD。第14图系一上视平面图,显示传统CCD。第15图系一上视平面图,显示第14图所示结构下层之上述转移通道。第16图系一流程图,显示制造上述第15图所示之CCD制程。第17图系一上视平面图,显示本发明中CCD的比较案例。第18图系一上视平面图,显示第17图所示结构下层之上述转移通道。第19图系一上视平面图,显示本发明中CCD的另一比较案例。 |
