| 主权项 |
1.一种主动矩阵定址式液晶显示装置,其特征为包括:(a)具有一些切换元件之第一基板;(b)第二基板须与第一基板耦合连接,而以在第一与第二基板之间之间隔件形成间隙;此等间隔件是分布在间隙中;(c)限制在间隙中之液晶;以及(d)形成于与切换元件重叠区域中之突出部;每一个突出部是在使此间隙变狭窄的方向中突出;并且其中每一个突出部具有高度是小于间隔件之直径大约1微米或以上,且此等突出部具有斜而其完全覆盖相对应之切换元件。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等突出部包括形成用以覆盖此等切换元件之层间介电层。3.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等突出部包括形成于第二基板上之覆盖层。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等突出部之一部份包括形成于第一基板上用于覆盖此等切换元件之层间介电层,而此等突出部之其余部份包括形成于第二基板上之覆盖层。5.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等突出部是由光学敏感式有机层所形成。6.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等突出部是由无机介电层与光学敏感式有机层之双层结构所形成。7.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中每一个突出部包括凹陷其将间隔件由相对应之元件导引离开。8.如申请专利范围第1项之主动矩阵定址式液晶显示装置,其中此等切换元件是属于逆交错之形式。9.一种制造主动矩阵定址式液晶显示装置之方法,其特征为包括:(a)提供第一基板与第二基板;此第一基板具有切换元件;突出部形成于第一与第二基板至少之一上;以及(b)须将第一与第二基板彼此连接,而以在第一与第二基板之间之间隔件形成间隙;此等间隔件是分布在间隙中;将液晶置入于间隙中;其中此等突出部是位于与此等切换元件重叠的区域中;并且其中每一个突出部是在使得此间隙狭窄的方向中突出;并且其中当此第一与第二基板彼此连接耦合之时或之后,此等间隔件是沿着此等突出部的斜面从此等元件移开;且其中第一基板具有光学敏感式层间介电层;并且其中使用灰色色调遮罩在层间介电层上形成突出部;此灰色色调遮罩包括:在此等突出部相对应位置所形成之阻隔区域,在层间介电层接触孔相对应位置所形成之半透明区域;以及在此遮罩其余位置所形成之半透明区域。10.如申请专利范围第9项之方法,其中使用遮罩以形成突出部;此遮罩包括:阻隔区域其阻隔曝光光线,或透明区域其允许曝光光线通过;此阻隔或透明区域是形成于此等突出部之相对应之位置。11.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部包括形成用以覆盖此等切换元件之层间介电层。12.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部包括形成于第二基板上之覆盖层。13.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部包括形成于第一基板上用以覆盖切换元件之层间介电层,而此等突出部之其余部份包括形成于第二基板上之覆盖层。14.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部之一部份中每一个突出部其有大约一微米或以上之高度。15.如申请专利范围第9项之方法,其中每一个突出部具有斜面其完全覆盖相对应之切换元件。16.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部是由光学敏感式有机层所形成。17.如申请专利范围第9项之方法,其中此等突出部是由无机介电层与光学敏感式有机层之两层式结构所形成。图式简单说明:第1图为部份横截面图式,其显示习知技术之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第2A与2B图为部份横截面图式其各显示另一个习知技术之主动矩阵定址式液晶显示装置之制造方法。第3图为部份横截面图式其显示还有另一个习知技术之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第4图为部份横截面图式,其显示沿着第5图中IX-IX线之根据本发明第一实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第5图用部份平面图式其显示根据第4图第一质施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之TFT、像素、闸极线,以及汲极线之布局。第6A至6E图为沿着第5图中IV-IV线之概要横截面图式,其各显示根据第一实施例之液晶显示装置之制造方法。第7图为部份横截面图式,其显示沿着在第5图中IX-IX线之根据本发明第二实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第8图为部份横截面图式,其显示沿着第5图中IX-IX线之根据本发明第三实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第9A至9F图为沿着第5图中IV-IV线之概要横截面图式,其各显示根据第8图之第3实施例之装置之制造方法。第10图为部份横截面图式,其显示沿着第5图中IX-IX线之根据本发明第四实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第11图为部份横截面图式,其显示沿着第5图中IX-IX线之根据本发明第5实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。第12图为部份横截面图式,其显示沿着第5图中IX-IX线之根据本发明第6实施例之主动矩阵定址式液晶显示装置之结构。 |
