| 主权项 |
1.一种功率二极体制成方法,其系应用于制造一功率二极体,该功率二极体系具有一半导体晶片,而该半导体晶系具有一侧向暴露之P-N接面,该功率二极体之制成方法包括:将该功率二极体置于一反应室中,其中该反应室系具有一遮蔽钣;提供一蚀刻气体;将该蚀刻气体离子化,以产生自由基及离子;及将离子化之蚀刻气体喷向该遮蔽钣,以于该反应室内形成一蚀刻气体之浓度分布及一气体流向,以蚀刻该P-N接面之侧向暴露面。2.如申请专利范围第1项所述之功率二极体制成方法,其中将该蚀刻气体离子化的步骤系包括:使用一电浆产生器以产生一高频的电磁波来离子化该蚀刻气体。3.如申请专利范围第1项所述之功率二极体制成方法,其中将该蚀刻气体离子化的步骤系包括:使用一电浆产生器以加入一含氧气体于该蚀刻气体中。4.如申请专利范围第3项所述之功率二极体制成方法,其中该含氧气体系为氧气(O2)或氧化氮(N2O)。5.如申请专利范围第1项所述之功率二极体制成方法,其中该蚀刻气体系为三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)。6.一种功率二极体制成装置,其系应用于制造一功率二极体,该功率二极体系具有一半导体晶片,而该半导体晶片系具有一侧向暴露之P-N接面,该功率二极体之制成装置包括:一反应室,其系具有一气体喷入口,而该反应室之内部系形成一封闭之空间,该功率二极体系设置于该反应室中;一电浆产生器,其系用以将一蚀刻气体离子化,以产生自由基及离子,该电浆产生器系与该反应室的气体喷入口连接,以将离子化之蚀刻气体喷入该反应室;及一遮蔽钣,其系设于该反应室内,且面对于该气体喷入口,以于该反应室内形成一蚀刻气体之浓度分布及一气体流向,以蚀刻该P-N接面之侧向暴露面。7.如申请专利范围第6项所述之功率二极体制成装置,其中该电浆产生器会于该蚀刻气体加入一含氧气体。8.如申请专利范围第7项所述之功率二极体制成装置,其中该含氧气体系为氧气(O2)或氧化氮(N2O)。9.如申请专利范围第6项所述之功率二极体制成装置,其中该蚀刻气体系为三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)。10.如申请专利范围第6项所述之功率二极体制成装置,其中该反应室内进一步包括一载具,以承载该功率二极体。11.如申请专利范围第6项所述之功率二极体制成装置进一步包括一送气管,以连接该电浆产生器及该反应室之气体喷入口。12.如申请专利范围第6项所述之功率二极体制成装置,其中该反应室系进一步具有气体排出口,以排出该蚀刻气体。图式简单说明:第一图 系本发明之功率二极体制成装置之示意图。第二A~B图 系本发明之半导体晶片的细部示意图。 |
