| 主权项 |
1.一种形成奈米晶体之方法(30),其包括: 提供(32)一基板(12); 形成一覆盖该基板之介电质(18); 在一化学汽相沈积室中放置(34)该基板; 在一第一阶段期间将一第一先驱物气体流入(26)该 化学汽相沈积室中,以第一预定条件在该介电质上 成核奈米晶体(20),该等第一预定条件于一第一时 间周期存在于该化学汽相沈积室中; 终止将该第一先驱物气体流入该化学汽相沈积室 中;以及 在一第二阶段期间将一不同之第二先驱物气体流 入(38)该化学汽相沈积室中,以在第二预定条件下 生长该等奈米晶体,该等第二预定条件于一第二时 间周期存在于该化学汽相沈积室中。 2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括: 在流入该不同之第二先驱物气体后于一惰性环境 中退火(40)该等奈米晶体。 3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括使该 等第二预定条件等同于该等第一预定条件。 4.一种形成奈米晶体之方法(30),其包括: 提供(32)一基板(12); 形成一覆盖该基板之介电质(18); 在一化学汽相沈积室中放置(34)该基板; 在一第一阶段期间,将一第一先驱物气体流入(36) 该化学汽相沈积室中,以第一预定处理条件在该介 电质上成核奈米晶体,该等第一预定处理条件于一 第一时间周期存在于该化学汽相沈积室中;以及 在该第一阶段后之一第二阶段期间,将一第二先驱 物气体流入(38)该化学汽相沈积室中,以在第二预 定处理条件下生长该等奈米晶体,该等第二预定处 理条件于一第二时间周期存在于该化学汽相沈积 室中。 5.如申请专利范围第4项之方法,其进一步包括: 在终止将该第一先驱物气体流入该化学汽相沈积 室之前,将该第二先驱物气体流入(38)该化学汽相 沈积室中。 6.如申请专利范围第4项之方法,其进一步包括在该 化学汽相沈积室中实施该化学汽相沈积,作为一快 速热化学汽相沈积(rapid thermal chemical vapor deposition ;RTCVD)。 7.如申请专利范围第4项之方法,其进一步包括使用 乙矽烷实现该第一先驱物气体,使用矽烷实现该第 二先驱物气体,且使用二氧化矽实现该介电质。 8.一种形成奈米晶体(20)之方法(30),其包括: 提供(32)一半导体基板(12); 形成一覆盖该半导体基板之介电层(18); 在一化学汽相沈积室中放置(34)该半导体基板,以 实现该介电层上材料之一快速热化学汽相沈积; 在一第一阶段期间,于一第一时间周期将乙矽烷气 体流入(36)该化学汽相沈积室中,以在该介电层上 形成复数个奈米晶体,此时该化学汽相沈积室中的 温度在400摄氏度至530摄氏度范围内,且乙矽烷气体 分压在10至100mTorr之范围内;以及 在该第一阶段后之一第二阶段期间,于一第二时间 周期将矽烷气体流入(38)该化学汽相沈积室中,以 在该化学汽相沈积室中存在之处理条件下生长奈 米晶体,该化学汽相沈积室之温度及分压至少与该 第一时间周期期间相同,且该第二时间周期之长度 长于该第一时间周期。 9.一种形成奈米晶体(20)之方法(30),其包括: 提供(32)一基板(12); 形成一覆盖该基板之介电质(18); 在一化学汽相沈积室中放置(34)该基板; 在一第一阶段期间,将该介电质之一表面上具有一 第一黏附系数之一第一先驱物气体流入(36)该化学 汽相沈积室中,以第一预定处理条件在该介电质上 成核奈米晶体,该等第一预定处理条件于一第一时 间周期存在于该化学汽相沈积室中;以及 在一第二阶段期间,将一第二先驱物气体流入(38) 该化学汽相沈积室中,以在第二预定处理条件下生 长奈米晶体,该等第二预定处理条件于一第二时间 周期存在于该化学汽相沈积室中,该第二先驱物气 体在该介电质之该表面上具有一第二黏附系数,其 小于该第一黏附系数,且在该等奈米晶体之一表面 上具有高于该第二黏附系数之一第三黏附系数。 10.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包括在 开始将该第二先驱物气体流入该化学汽相沈积室 之前,停止流入该第一先驱物气体。 图式简单说明: 图1说明已根据本发明之一项具体实施例形成奈米 晶体之记忆体装置的断面图; 图2说明根据本发明一项具体实施例形成图1奈米 晶体之流程图;而且 图3说明两含矽先驱物的生长率对比温度之曲线图 。 |
