| 主权项 |
1.一种高速可写入型光记录媒体,其特征为,在支持 基体上至少依序形成有记录层、光透过层,前述光 透过层之厚度为50~150m上述记录层是堆叠分别以 一种金属为主成分的至少两层的副记录层,且,由 于从上述光透过层侧照射蓝色或较此为短波长的 雷射光,使上述各副记录层所含的主成分金属扩散 而混合,藉此混合,可形成反射率以不可逆方式变 化的记录标志,同时,上述记录层的厚度为3~50nm,上 述雷射光的波长为200~450nm,照射此雷射光时所使用 的物镜是使用数値口径为0.8以上的透镜系的系统, 藉此使其能以35Mbps以上的记录转送速度进行记录 。 2.如申请专利范围第1项的高速可写入型光记录媒 体,其中,上述副记录层的厚度为1~30nm。 3.如申请专利范围第1项或第2项的高速可写入型光 记录媒体,其中,上述副记录层中的至少1层是以A1 为主成分,其他的至少1层则配设在邻接于上述以A1 为主成分的副记录层,且以Sb为主成分,而由于照射 雷射光,可使上述各副记录层内所含的A1与Sb扩散 而混合。 4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项的高速可 写入型光记录媒体,其中,上述副记录层中的至少1 层是以Si为主成分,其他的至少1层则配设在邻接于 上述以Si为主成分的副记录层,且以Cu为主成分,而 由于照射雷射光,可使上述各副记录层内所含的Si 与Cu扩散而混合。 5.如申请专利范围第1项或第2项中任一项的高速可 写入型光记录媒体,其中,上述副记录层中的至少1 层的主成分金属,与配设在邻接于此副记录层的其 他至少1层的主成分金属,是从Ag/Si、Zn/Si、Au/Si、Al /Ge、Cu/Ge、Ag/Ge、Zn/Ge、Au/Ge中的任一组合中选择, 而由于照射雷射光,可使上述各副记录层所含的两 主成分金属扩散而混合。 6.一种光记录方法,是在支持基体上至少依序形成 有记录层、厚度为50~150m之光透过层的光记录媒 体的上述记录层,从上述光透过层侧照射雷射光, 以形成记录标志,其特征为, 上述雷射光是蓝色或较此为短波长的雷射光,上述 记录层是堆叠分别以一种金属为主成分的至少两 层的副记录层,由于照射雷射光,使上述各副记录 层所含的主成分金属扩散而混合,藉此混合,使反 射率以不可逆方式变化而形成记录标志,且,使此 记录转送速度为35Mbps以上。 7.如申请专利范围第6项的光记录方法,其中,上述 雷射光的波长为200~450nm,而从上述光透过层侧,经 数値口径0.8以上的物镜,照射在上述记录层。 8.一种高速可写入型光记录装置,其特征为,备有: 可射出蓝色或较此为短波长的雷射光的雷射光源; 从上述雷射光源引导雷射光至,支持基体上至少依 序形成有记录层、光透过层的光记录媒体的上述 记录层,使其从上述光透过层侧聚光于上述记录层 的记录光学系;以及,支持上述光记录媒体,且使其 对上述雷射光的聚光位置相对移动的光记录媒体 驱动装置,前述光透过层之厚度为50~150m,上述记 录层是堆叠分别以一种金属为主成分的至少两层 的副记录层而成,由于照射雷射光,使上述各副记 录层所含的主成分金属扩散而混合,藉此混合,可 使反射率以不可逆方式变化而形成记录标志,上述 雷射光的照射能,上述光记录媒体的相对移动速度 ,上述记录层的厚度,使上述雷射光能以35Mbps以上 的记录转送速度进行记录。 9.如申请专利范围第8项的高速可写入型光记录装 置,其中,上述雷射光的波长为200~450nm,上述记录光 学系的物镜的数値口径为0.8以上。 图式简单说明: 第1图是以模式方式放大表示本发明实施形态的第 1例的高速可写入型光记录媒体。 第2图是以模式方式放大表示本发明实施形态的第 2例的高速可写入型光记录媒体。 第3图是表示在该高速可写入型光记录媒体进行光 记录的光记录装置的方块图。 第4图是表示本发明实施例2的光记录媒体的光记 录前后的反射率与记录层厚度的关系的线图。 第5图是表示本发明实施例3的光记录媒体的可记 录的雷射电力与记录层厚度的关系的线图。 |
