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发明名称 PUNCHTHROUGH TYPE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR100486348(B1) 申请公布日期 2005.04.21
申请号 KR19970050395 申请日期 1997.09.30
申请人 FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD. 发明人 SIM, SANG NAM;YOON, JONG MAN;KIM, WON CHEOL
分类号 H01L29/70 主分类号 H01L29/70
代理机构 代理人
主权项
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