| 发明名称 |
METHOD FOR TISIX SILICIDE GATE TRANSISTOR FORMING USING HYDROGEN ANNEAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100486229(B1) |
申请公布日期 |
2005.04.21 |
| 申请号 |
KR19980002779 |
申请日期 |
1998.02.02 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DO HYEONG |
| 分类号 |
H01L21/8232;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8232 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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