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Die Erfindung betrifft einen elektronischen Diodenschaltkreis mit einer Anode (A) und einer Kathode (K). Er umfasst zumindest einen zwischen die Anode und die Kathode geschalteten Feld-Effekt-Transistor (T1, T2) mit einem Gate, einer Source und einem Drain, wobei die Kathode durch den Drain repräsentiert wird. Er umfasst weiterhin eine zwischen das Gate und die Source des FET geschaltete Impedanz zum sicheren Sperren des FET bei fehlender Ansteuerung des FET. Schließlich umfasst er einen Operationsverstärker (OP1), dessen nicht-invertierender Eingang (+) an die Anode, dessen invertierender Eingang (-) an die Kathode und dessen Ausgang an das Gate des FET angeschlossen sind, zum Steuern des Betrags der Gatespannung nach Maßgabe durch die Potentialdifferenz zwischen der Anode (A) und der Kathode (K). Der Diodenschaltkreis gestattet vorteilhafterweise ein Ein- und Ausschalten eines gleichgerichteten Stromes (Figur 1). |
