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发明名称 FORMATION METHOD OF CAPACITOR USING HSG SILICON LAYER
摘要
申请公布号 KR100486212(B1) 申请公布日期 2005.04.21
申请号 KR19970048556 申请日期 1997.09.24
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, DONG HYEON
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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