| 摘要 |
<p>Bei einer Halbleiterschaltungsanordnung mit einer Photodiode (16) zum Erzeugen eines lichtabhängigen elektrischen Signals (VSignal) beinhaltet die Photodiode (16) eine Schichtenfolge mit zumindest drei Schichten (14, 20, 22). Die drei Schichten bilden einen oberflächenferneren ersten pn-Übergang (24) und einen oberflächennahen zweiten pn-Übergang (26) aus. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist der zweite pn-Übergang (26) durch einen niederohmigen Kontaktbereich (28) leitfähig überbrückt. In einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterschaltungsanordnung werden die zweite und dritte Halbleiterschicht (20, 22) in einem gemeinsamen Prozessschritt erzeugt, bei dem Dotieratome für die zweite Halbleiterschicht (20) mit einer hohen Energie von mehr als 40 keV in die erste Halbleiterschicht (14) eingebracht werden.</p> |
