| 发明名称 | SONOS存储器及其制造和操作方法 | ||
| 摘要 | 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN1607668A | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN200410095200.6 | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金汶庆;金桢雨;李兆远;李殷洪;蔡熙顺 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种SONOS存储器，包括：包括源区和漏区以及沟道区的半导体层；在所述半导体层上形成的上部堆叠结构，从而与该半导体层一起形成上部SONOS存储器；和在所述半导体层之下形成的下部堆叠结构，从而与该半导体层一起形成下部SONOS存储器。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||