部分空乏SOI金氧半导体元件

摘要

一种部分空乏SOI金氧半导体元件，包含有一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。

主权项

1.一种部分空乏SOI金氧半导体(MOS)元件，包含有：一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。