| 发明名称 | 一种栅工艺处理中的多层膜结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种栅工艺中的多层膜结构。具体是在栅成长之后，依次成长一层掺磷浓度低的多晶硅、一层浓度高的多晶硅、一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN2694476Y | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN02261131.2 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陶金龙;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种栅工艺处理中的多层膜结构，其特征在于，栅成长之后，其上依次成长有一 层掺磷浓度低的多晶硅，厚度为200-1500，一层浓度高的多晶硅，厚度为7700-5500， 一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，厚度为3000-5000。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号 | ||