批式处理装置及晶片处理方法

摘要

本发明提供一种批式处理装置及晶片处理方法，该批式处理装置至少包括：一晶舟，该晶舟的一第一端部至一第二端部之间具有多个晶片插槽，且此些晶片插槽使配置于其中的晶片以晶片表面互相平行，其中此些晶片插槽的间距由晶舟的第一端部朝向第二端部逐渐增加；和一气体入口，其中该气体入口由该第一端部朝向该第二端部提供一气体，以使该气体与该些晶片反应。此晶舟能够配置于一垂直式热炉管中，其中第一端部配置于底部，第二端部则位于顶部。使用具有此晶舟的垂直式热炉管进行晶片处理工艺时，能够缩小同一批处理的晶片的电性差异，以及沉积薄膜的特性差异。

主权项

1.一种批式处理装置，至少包括：一晶舟，该晶舟的一第一端部至一第二端部之间具有多个晶片插槽，且该些晶片插槽使配置于其中的多个晶片以该些晶片的表面互相平行；以及一气体入口，其中该气体入口由该第一端部朝向该第二端部提供一气体，以使该气体与该些晶片反应，其中该些晶片插槽的间距由该晶舟的该第一端部朝向该第二端部逐渐增加。