发明名称 |
显示器件及其制造方法 |
摘要 |
一种在绝缘基片上形成的电子电路,它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500,例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 |
申请公布号 |
CN1607875A |
申请公布日期 |
2005.04.20 |
申请号 |
CN200410097474.9 |
申请日期 |
1993.12.09 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
宫崎稔;A·村上;崔葆春;山本睦夫 |
分类号 |
H05B33/12;H05B33/26;H05B33/08;H05B33/10 |
主分类号 |
H05B33/12 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种显示器件,它包括:在基片上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源区和漏区;和包括导电氧化物膜的像素电极,所述像素电极通过电极电连接到所述源区和所述漏区中的一个,所述电极包括与所述源区和所述漏区中的一个接触的第一层,形成在所述第一层之上的第二层,及形成在所述第二层之上并与所述像素电极接触的的第三层,其中所述第一层具有隔离特性,所述第二层包括铝,且所述第三层具有隔离特性。 |
地址 |
日本神奈川县 |