发明名称 显示器件及其制造方法
摘要 一种在绝缘基片上形成的电子电路,它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500,例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。
申请公布号 CN1607875A 申请公布日期 2005.04.20
申请号 CN200410097474.9 申请日期 1993.12.09
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 宫崎稔;A·村上;崔葆春;山本睦夫
分类号 H05B33/12;H05B33/26;H05B33/08;H05B33/10 主分类号 H05B33/12
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒
主权项 1.一种显示器件,它包括:在基片上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源区和漏区;和包括导电氧化物膜的像素电极,所述像素电极通过电极电连接到所述源区和所述漏区中的一个,所述电极包括与所述源区和所述漏区中的一个接触的第一层,形成在所述第一层之上的第二层,及形成在所述第二层之上并与所述像素电极接触的的第三层,其中所述第一层具有隔离特性,所述第二层包括铝,且所述第三层具有隔离特性。
地址 日本神奈川县
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