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发明名称 SOI field effect transistor element having a recombination region and method of forming same
摘要
申请公布号 EP1523775(A2) 申请公布日期 2005.04.20
申请号 EP20030748928 申请日期 2003.06.24
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 WIECZOREK, KARSTEN;HORSTMANN, MANFRED;KRUEGER, CHRISTIAN
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L29/66;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
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