| 发明名称 |
Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2381124(B) |
申请公布日期 |
2005.04.20 |
| 申请号 |
GB20020014017 |
申请日期 |
2002.06.18 |
| 申请人 |
* AGERE SYSTEMS GUARDIAN CORPORATION |
发明人 |
SAMIR * CHAUDHRY;PAUL ARTHUR * LAYMAN;JOHN RUSSELL * MCMACKEN;ROSS * THOMSON;JACK QINGSHENG * ZHAO |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/334;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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