| 发明名称 | 包括均匀厚度隧道膜的磁随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种磁随机存取存储器(MRAM)和制造该MRAM的方法，该MRAM具有包括晶体管和连接到晶体管的MTJ层的单元，该MTJ层具有均匀厚度的隧道膜。MTJ层包括：下层电极；下层磁膜；具有均匀厚度、无波的隧道膜；以及上层磁膜，并且下层电极包括第一下层电极和无定形第二下层电极。在下层电极和下层磁膜之间还可以形成无定形平整膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1607607A | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN200410095199.7 | 申请日期 | 2004.09.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴祥珍;金泰完 |
| 分类号 | G11C11/15;H01L27/105;H01L21/82 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种具有包括晶体管和连接到该晶体管的磁性隧道结(MTJ)层的单元的磁随机存取存储器，其中所述MTJ层包括：下层电极；下层磁膜；具有均匀厚度、无波的隧道膜；以及上层磁膜；其中所述下层电极包括第一下层电极和无定形第二下层电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||