| 发明名称 | 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型是关于一种使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构，尤指一种可提供高透明度、且能促进电流均匀分散的P型氮化镓欧姆接触的透明电极，其主要是在P型氮化镓(GaN)的磊晶层上凭借物理气相沉积(PVD)方式形成半透明金属膜的第一导电层及至少一层金属氧化物透明导电膜的第二导电层，并利用热处理方式，改善氮化镓与导电层的介面特性，以及导电层的光穿透率，而达到提供良好的欧姆接触及促进电流均匀分散到电极表面的作用，据此应用于蓝光发光二极体(LED)及雷射二极体(LD)等短波长的发光元件上，而能有效提高发光元件的操作效率与寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN2694475Y | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN03257248.4 | 申请日期 | 2003.05.16 |
| 申请人 | 洪瑞华 | 发明人 | 洪瑞华;武东星;连亦中;蓝厚道;胡荣章;程亚桐 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京万科园知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张亚军;陈宪忠 |
| 主权项 | 1.一种使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构，其特征在于：包括有：一P型氮化镓磊晶层；一第一导电层，该第一导电层是由半透明金属薄膜所构成，其是制设在磊晶层上，第一导电层的光穿透率大于70％，且直接与磊晶层形成欧姆接触；至少一第二导电层，该第二导电层是由金属氧化物透明导电膜所构成，其是叠置地制设在第一导电层上，并具有透光性。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||