金氧半导体晶体管的制造方法

摘要

一种金氧半导体晶体管的制造方法，其步骤如下：首先在已形成栅极与栅极间隙壁的基底上进行一源/漏极离子植入工艺，以于间隙壁外侧的基底内形成源/漏极区。接着，利用自行对准技术于栅极与源/漏极区上形成一自行对准金属硅化层，再于基底上形成一层作为后续蚀刻工艺的氮化硅蚀刻阻挡层。然后，对氮化硅蚀刻阻挡层进行一氟全面植入工艺，而使氟离子植入于该氮化硅层中，其植入剂量＞＝5×10¹³cm^-2且＜5×10¹⁴cm^-2；植入能量＞＝2KeV且＜5KeV，该氮化硅层含有氢，可以降低氮化硅层的氢浓度，进而增进金氧半导体晶体管的启始电压稳定度。

主权项

1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底，该基底上已形成有一栅氧化层，且于该栅氧化层上已形成有一栅极；于该栅极侧壁形成一间隙壁；于该间隙壁侧边的该基底内形成复数个源/漏极区；于该栅极与该些源/漏极区暴露出的表面形成复数个自行对准金属硅化层；于该基底上形成一氮化硅层；以及对该氮化硅层进行一氟全面植入工艺，而使氟离子植入于该氮化硅层中。