| 发明名称 | 在衬底上形成重量补偿/调节层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在衬底上形成重量补偿/调节层的方法。本发明的实施例在表面形貌具有变化的结构(例如，具有一个或多个材料层(例如，薄膜)的硅晶片)上形成重量补偿/调节层。表面形貌变化表现为材料的厚的区域和薄的区域。重量补偿/调节层包括分别与厚的区域和薄的区域相对应的窄的区域和宽的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1607648A | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN200410077822.6 | 申请日期 | 2004.09.15 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 西奥多·多罗什;克里什纳·塞莎恩 |
| 分类号 | H01L21/30;H04Q7/22;H04B7/26 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||