| 发明名称 | 绝缘体上半导体沟道结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种方法和一种装置。该方法包括：在一种半导体器件衬底上形成过孔电介质层；在所述过孔电介质层上形成沟槽电介质层；形成贯穿所述沟槽电介质层的沟槽，以暴露所述过孔电介质层；在所述沟槽中的所述过孔电介质层中形成过孔，以暴露所述衬底；以及在所述过孔和在所述沟槽中形成半导体材料。该装置包括：器件衬底；形成在所述器件衬底的表面上的电介质层；以及在所述电介质层上形成的器件基底，所述器件基底包括从所述器件衬底衍生的晶体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1607642A | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN200410080111.4 | 申请日期 | 2004.09.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 贝恩－叶海·吉恩;布雷恩·S·多伊;斯科特·A·黑尔兰德;马克·L·多齐;马修·V·梅斯;博扬·I·博亚诺夫;休曼·达塔;杰克·T·卡瓦列尔罗斯;罗伯特·S·周 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/335;H01L21/84;H01L29/786;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在半导体器件衬底上形成过孔层；在所述过孔电介质层上形成沟槽层；形成贯穿所述沟槽层的沟槽，以暴露所述过孔层；在所述沟槽中的所述过孔层中形成过孔，以暴露所述衬底；以及在所述过孔和所述沟槽中形成半导体材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||