硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种新型硅基蓝—紫光发光材料及其制备工艺，该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层，在发光层上设有薄膜保护层：其制备工艺是先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理：然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂；再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照；本发明的性能稳定且发光效率较高，可发出蓝—紫光；其制备工艺代替了传统工艺。

主权项

1、一种新型硅基蓝—紫光发光材料，其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2)，所述的发光层(2)为CxSiyO1-x-y结构，其中x＝0.005-0.92，y＝0.02-0.45；发光层(2)的厚度为0.05-4.0μm；其发光中心微区面密度为1×109-1×1015cm-2，发光波长为370nm-470nm；在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)，所述的薄膜保护层(3)具有类SiO2结构，其厚度为0.08-2.0μm；其中该发光材料是先将单晶硅片在温度为700-1300℃，气氛为高纯氧气或高纯水蒸汽下进行热处理；然后将热处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂；再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照而制成；所述的掺杂后硅片进行重离子辐照时，其辐照能量为100MeV-3.0GeV。