CONTACT ETCHING METHOD FOR IMPROVING OPEN MARGIN, SHORT MARGIN AND CONTACT RESISTANCE WITHOUT RC DELAY,申请号KR20030071426-传众专利搜索

发明名称	CONTACT ETCHING METHOD FOR IMPROVING OPEN MARGIN, SHORT MARGIN AND CONTACT RESISTANCE WITHOUT RC DELAY
摘要
申请公布号	KR20050035700(A)	申请公布日期	2005.04.19
申请号	KR20030071426	申请日期	2003.10.14
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	CHUNG, EUN KUK;JANG, WOO SOON;KIM, JOON
分类号	H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/321	主分类号	H01L21/3213
代理机构		代理人
主权项
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