发明名称 | 半导体制造装置及半导体制造方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种半导体制造装置及半导体制造方法,其系于连接在处理容器之制程气体之配管内流入微量净化气体之手法,可高精度地控制各净化气体之流量,同时可迅速进行配管内之气体置换。于各导入管13~16之处理容器1之正前设置遮断阀V1~V4,于此等遮断阀V1~V4与处理容器1之间,连接设有称为音波喷嘴等之孔口53之净化气体分流路51,并以孔口之1次侧之压力值比2次侧之压力值成为2倍以上之方式进行控制,将净化气体始终以相等流量供给至各导入管,同时藉由设于净化气体分流路51之基端侧之主流路50之质量流量控制器52控制净化气体之总流量。 | ||
申请公布号 | TW200514142 | 申请公布日期 | 2005.04.16 |
申请号 | TW093127774 | 申请日期 | 2004.09.14 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 冈部庸之;高堂真 |
分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |