发明名称 | 半导体制程 | ||
摘要 | 一种半导体制程,系结合一阻断层之制程于半导体之前段制程中。其中,阻断层可直接形成于微透镜之曲面上,或先形成于一保护层于微透镜上,之后再覆盖一阻断层于保护层之表面上。因此,最后所形成之光感测模组其体积可达到最小化,并且可使封装制程一贯作业,故可节省封装的时间与成本,更可避免切割所造成之微粒污染。 | ||
申请公布号 | TW200514242 | 申请公布日期 | 2005.04.16 |
申请号 | TW092127388 | 申请日期 | 2003.10.03 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 孙正光;李光兴;潘瑞祥 |
分类号 | H01L27/14 | 主分类号 | H01L27/14 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |