发明名称 半导体制程
摘要 一种半导体制程,系结合一阻断层之制程于半导体之前段制程中。其中,阻断层可直接形成于微透镜之曲面上,或先形成于一保护层于微透镜上,之后再覆盖一阻断层于保护层之表面上。因此,最后所形成之光感测模组其体积可达到最小化,并且可使封装制程一贯作业,故可节省封装的时间与成本,更可避免切割所造成之微粒污染。
申请公布号 TW200514242 申请公布日期 2005.04.16
申请号 TW092127388 申请日期 2003.10.03
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 孙正光;李光兴;潘瑞祥
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号