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发明名称
半导体元件及其制作方法
摘要
本发明系揭示一种半导体元件及其制作方法。其利用一高温超导(High Temperature Surperconductor,HTS)层与一典型的扩散层组合,其中该扩散层于介电材料与铜(或其他金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素,而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其他半导体电路或元件,可于沉积一介电覆盖层前,沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小之孔隙或沟槽内以形成连线。
申请公布号
TW200514195
申请公布日期
2005.04.16
申请号
TW093113447
申请日期
2004.05.13
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
余振华;曾鸿辉;胡正明;王昭雄
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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