深沟渠式电容器及其制造方法

摘要

一种深沟渠式电容器之结构，其包括一基底、一第一电容器、一第二电容器以及一绝缘层。其中，基底中具有一深沟渠，且第一电容器系配置在深沟渠中，第一电容器系包括一第一下电极、一第一电容介电层以及一第一上电极。另外，第二电容器也是配置在深沟渠中，且第二电容器系包括一第二下电极、一第二电容介电层以及一第二上电极。绝缘层系配置在第一电容器以及第二电容器之间。而第一下电极与第二下电极于深沟渠之底部处系彼此电性连接，第一上电极与第二上电极于深沟渠之顶部处系彼此电性连接。本发明可以大幅提升电容器之储存电容量。