发明名称 | 发光二极体之制造方法及其结构 | ||
摘要 | 本案系为一种发光二极体之制造方法及其结构,其中该制造方法之步骤包含提供一成长基板;于该成长基板上成长一半导体晶片;将一金属基板与该半导体晶片进行黏合;去除该成长基板;以及分别形成一第一电极及一第二电极于该半导体晶片之下及该金属基板之上。 | ||
申请公布号 | TW200514147 | 申请公布日期 | 2005.04.16 |
申请号 | TW092127877 | 申请日期 | 2003.10.07 |
申请人 | 华上光电股份有限公司 | 发明人 | 张盼梓;宋盈彻 |
分类号 | H01L21/24 | 主分类号 | H01L21/24 |
代理机构 | 代理人 | 蔡清福 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县大溪镇仁和路2段349号7楼 |