| 摘要 |
一场效电晶体元件的多层闸极电极堆叠结构系被形成在该闸极介电层上的一矽奈米结晶种晶层上。该矽奈米结晶层的小颗粒使得以快速热化学蒸发沉积法(RTCVD)原位沉积一锗浓度高达至少70％之均匀上连续的聚矽锗层变得可行。在有氧且快速降温环境下，原位冲洗沉积室可获致厚度在3至4间之一薄SiO2或SixGeyOz介面层。该薄SiO2或SixGeyOz介面层的厚度系足够薄且不连续，使其可提供闸极电流非常低的电阻，但却有足够高的氧气浓度以有效阻挡热处理制程中锗原子往上扩散，因此可容许后续沉积的钴层可被矽化。该闸极电极堆叠结构矽可用于nFFETs及pFETs两者中。 |
