| 摘要 |
本发明系提供一种大电流对应型的低温多晶矽TFT(Thin Film Transistor：薄膜电晶体)，可极力抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明的半导体装置系于具有玻璃基板(10)、主动层(12)，以及在其上经介闸极绝缘膜(13)所形成的闸极电极(14加TFT中，在通道区域(12c)的下方或整个主动层(12)的下方设置散热用底部金属层BM，而得以将驱动TFT时通道区域(12c)所产生的焦耳热散热到TFT外部为其特征者。再者，本发明的半导体装置之特征系于上述构成外，底部金属层BM为与闸极电极(14)或主动层(12)的源极区域(12s)连接。 |
