制备安定之理想氧沈淀矽晶圆之方法

摘要

本发明系关于一种单晶丘克拉斯基型(Czochralski–type)矽晶圆及其制备方法，其中具有非均匀分布之安定的氧沈淀成核中心。明确而言，尖峰浓度位于晶圆块内且无沈淀物区自表面向内延伸。