| 摘要 |
本发明之不纯物导入层之形成方法，至少包含有：于矽基板等固体基体之一主面上形成抗蚀层图案之步骤，于前述固体基体以离子模式之电浆掺杂法导入不纯物之步骤，除去前述抗蚀层之步骤，洗净前述固体基体表面之金属污染物、粒子之步骤，及热处理步骤，且，除去前述抗蚀层之步骤系对该抗蚀层照射氧电浆，或使该抗蚀层接触硫酸与双氧水之混合溶液，或NH4OH与H2O2与H2O之混合溶液。前述洗净步骤系使前述固体基体之一主面接触硫酸与双氧水之混合溶液，或NH4OH与H2O2与H2O之混合溶液，又，除去前述抗蚀层之步骤与洗净步骤系藉由使前述抗蚀层与固体基体之一主面接触硫酸与双氧水之混合溶液，或NH4OH与H2O2与H2O之混合溶液来同时进行。 |
