| 摘要 |
本发明系关于适用于曝光波长300奈米或更小之微影之内建式衰减性相位移光罩毛胚，及藉由离子束沉积制造该光罩毛胚之方法，尤其该光罩毛胚系包含一基板及一薄膜系统，其中，该薄膜系统包含一透射率控制副层，其包括一或多种选自由Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sh、Pb、其氧化物、氮化物、硼化物及碳化物组成之群之金属或金属化合物，以及其金属与化合物之组合；及一相位移控制副层，其包含Ge、Si及／或Al的硼化物、碳化物、氧化物及／或氮化物，或其组合。 |
